东芝记忆体株式会社推出採用96层3D快闪记忆体的1TB[1]单一封装PCIe® Gen3 x4L SSD

在单一封装SSD中实现业界领先的读取性能

东京--(美国商业资讯)--记忆体解决方案全球领导者东芝记忆体株式会社(Toshiba Memory Corporation)今日宣布推出BG4系列，该新系列单一封装NVMe™ SSD储存容量高达1,024GB^[2]，在单一封装中嵌入创新性96层3D快闪记忆体和全新控制器，实现业界最佳^[3]读取性能。BG4系列目前正针对电脑原厂客户限量提供样品，预计将於2019年第二季末公开提供样品。

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该新系列单一封装SSD採用PCIe^® Gen3 x4通道，循序读取性能高达2,250 MB/s^[4]，且快闪记忆体管理得到改善，提供业界领先^[5]的随机读取速度，每秒读写操作的次数高达380,000^[4]。BG4单一封装SSD适用於紧凑型和性能型系统，如超薄笔记型电脑、物联网嵌入系统和资料中心啟动伺服器。

而且，与上一代BG3系列相比，BG4系列循顺写入速度和随机写入速度分别提高约70%^[6]和90%^[6]。此外，该新系列採用东芝记忆体株式会社尖端的BiCS FLASH^TM 3D快闪记忆体和全新的SSD控制器，其读取功率效率提高达 20%^[7]，写入功率效率提高达7%^[7]。

BG4单一封装SSD系列将提供128GB、256GB、512GB和1,024GB四种储存容量。其中，储存容量512GB以下的SSD厚度超薄，仅为1.3mm^[8]。尺寸外形选项包括表面黏着型M.2 1620 (16 x 20mm)单一封装或抽取式M.2 2230 (22 x 30mm)模组，大幅提高了轻薄型行动PC的设计灵活性。

BG4 SSD符合NVM Express^TM Revision 1.3b规范，支援选购的自我加密硬碟 (TCG Opal version 2.01)型号。^[9]

在2019年国际消费电子展(CES^®)期间，该BG4新系列将在 Toshiba Memory America, Inc.位於Venetian® Resort的私人套房亮相，展览持续到1月11日。

*PCIe是PCI-SIG的註册商标。
*NVM Express和NVMe为NVM Express, Inc.的商标
*所有公司名称、产品名称和服务名称均为其各自公司的商标。

註
[1] 实际储存容量为1,024GB。请参阅註脚[2]瞭解容量定义。
[2] 容量定义：东芝记忆体株式会社定义1GB为1,000,000,000位元组，1兆位元组(TB)为1,000,000,000,000位元组。而电脑作业系统使用2的幂方来报告储存容量，其定义1GB = 2^30位元组=1,073,741,824位元组，1TB = 2^40 位元组 = 1,099,511,627,776位元组，因此显示更少的储存容量。根据不同的档案大小、格式、设定、软体和作业系统，可用储存容量（包括各种媒体档范例）将存在差异，如微软(Microsoft®)作业系统和/或预载软体应用程式或媒体內容。实际的格式化容量可能存在差异。
[3] 截至2019年1月9日，东芝记忆体株式会社单一封装SSD区隔市场调查。
[4] 东芝记忆体株式会社调查，根据128KiB单元的循序读取速度和4KiB单元的随机读取速度，遵循东芝记忆体株式会社测试条件，使用BG4系列的1,024GB型号。本新闻稿中提及的循序读取和随机读取性能为参考资料，可能因产品规格中的BG4产品资料而存在差异。
[5] 截至2019年1月9日，东芝记忆体株式会社单一封装SSD区隔市场调查。
[6] 根据BG4系列（1,024GB型号）和BG3系列（512GB 型号）的最佳性能，遵循东芝记忆体株式会社测试条件。
[7] 根据BG4 PCIe^Ⓡ Gen3 x4通道型号和BG3 PCIe^Ⓡ Gen3 x2通道型号的功率/性能比，遵循东芝记忆体株式会社测试条件。
[8] 128GB、256GB和512GB单一封装型号的厚度为1.3mm，1,024GB单一封装型号的厚度为1.5mm。
[9] 不同地区自我加密硬碟(SED)型号产品系列的上市时间可能存在差异。

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东芝记忆体株式会社：採用96层3D快闪记忆体的1TB单一封装PCIe(R) Gen3 x4L SSD（照片：美国商业资讯）