东芝记忆体株式会社推出业界首款符合UFS Ver.3.0标準的嵌入式快闪记忆体设备

东京--(美国商业资讯)--记忆体解决方案全球领导者东芝记忆体株式会社(Toshiba Memory Corporation)已啟动业界首款^[2]符合通用快闪记忆体(UFS) Ver.3.0标準的嵌入式快闪记忆体设备的样品出货^[1]。该新系列产品採用公司尖端的96层BiCS FLASH™ 3D快闪记忆体，提供叁种储存容量：128GB、256GB和512GB^[4]。该系列新设备具备高速读取和写入效能及低功耗特点，适用於行动装置、智慧手机、平板电脑和扩增/虚拟实境系统等应用领域。

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该系列新设备在符合JEDEC标準的11.5 x 13mm封装中整合了96层BiCS FLASH™ 3D快闪记忆体和控制器。该控制器执行错误校正、耗损均衡、逻辑位址向实体位址的转换以及瑕疵区块管理等功能，便於简化系统开发。

全部叁款设备均符合JEDEC UFS Ver.3.0标準，包含HS-GEAR4，每个通道理论介面速度最高可达11.6Gbps（2通道=23.2Gbps），同时具备抑制功耗增加功能。512GB设备的循顺读取和写入效能分别比上一代设备^[5]提高了约70%和80%。

* 本文提及的公司名称、产品名称和服务名称均为其各自公司的商标。

註
[1] 128GB设备样品出货即日啟动，该系列其他产品将在叁月之后陆续啟动样品出货。样品规格将不同於商用产品的规格。
[2] 资料来源：东芝记忆体株式会社，截至2019年1月23日。
[3] 通用快闪记忆体(UFS)是一种产品类别，即一类根据JEDEC UFS标準规范生产的嵌入式记忆体产品。由於採用序列介面，UFS支援全双工，支援在主机处理器和UFS设备之间进行同时读取和写入。
[4] 产品储存密度根据产品內建的记忆体晶片的密度来确定，而非最终使用者资料储存的可用记忆体容量。由於额外负荷资料区域、格式设定、瑕疵区块及其他制约因素，使用者可用容量会减少，根据不同的主机设备和应用，使用者可用容量可能也会有所差异。请参考适用的产品规格瞭解详情。定义1GB = 2³⁰位元组= 1,073,741,824位元组。
[5] 东芝记忆体株式会社上一代256GB设备THGAF8T1T83BAIR

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东芝记忆体株式会社：业界首款符合UFS Ver.3.0标準的嵌入式快闪记忆体设备（照片：美国商业资讯）