包括早期失效率和现场故障率,提供了业界首份完整的650 V GaN验证集
加州戈拉塔--(美国商业资讯)--首批符合JEDEC和AEC-Q101标準的最高可靠性650 V氮化鎵(GaN)半导体的设计和製造领导者Transphorm Inc.,今天公布了其氮化鎵功率场效应管(FET)在600 V和更高电压下的业界第一份完整的验证资料集。这些资料是该公司2018年12月公告的延伸,该公告显示Transphorm的GaN FET出货量迄今已超过25万个。以下是公开的Transphorm客户声明背后的细节,其中可靠性是客户选择GaN元件的主要因素。
Transphorm全球技术行销副总裁Philip Zuk解释道:“在电源转换市场中,品质、可靠性和性能是衡量电晶体的叁项主要指标。我们始终坚定地认为,以品质和可靠性为优先考虑可以实现高压GaN的成功。我们很自豪地看到这种策略取得了积极的成果,并认为有必要发布验证资料,以便潜在和现有客户能够瞭解GaN的真实能力。”
该公司提供了两种新的资料——早期失效率(ELF)和现场故障率——以完善验证资料集,这象徵着高压GaN技术的又一个重要里程碑。他们进一步地认为,Transphorm的GaN可靠性与其他的硅和碳化硅(SiC)解决方案相比具有竞争力并且可望超越——这是考虑到Transphorm的电源转换技术尚处於第一个成熟阶段,而硅电晶体早已成熟且SiC的发展已有十年的歷史。
高压GaN可靠性:全景图
Transphorm的完整资料集涵盖产品可靠性的五个方面:
1. 产品认证:符合JEDEC和AEC-Q101标準。
2. 超出标準要求的测试:包括在更高温度和电压下的开关、单粒子烧毁(SEB)、HTOL和HTGB测试。
3. 本质寿命:衡量设备的“老化”寿命;也定义了故障模式和加速因子。
4. 非本质寿命或ELF:预测现场故障率,单位为一年的FIT (Failure in Time)或百万分率(ppm);用於保固计算。
5. 现场故障率:衡量元件在客户应用中的实际现场性能。
Transphorm品质和可靠性副总裁Ron Barr表示:“仅仅本质资料是不够的。本质测试为我们提供加速因子,我们将它与早期失效测试结合使用,以确定产品的早期失效率。这让客户可以轻鬆地对GaN元件做出準确的评估。将本质资料与非本质资料和现场失效率相结合,就为GaN FET的性能提供了完整的基线。”
非本质早期失效率
本质失效率为产品的可靠性提供了不切实际的乐观资料。ELF即早期失效率提供了以FIT和ppm为单位的最真实的图景。早期失效率是对可能导致元件失效的材料、设计和製程控制中的潜在缺陷进行评估。值得注意的是,ELF是大多数客户保固索赔的原因,并且通常比老化故障发生得更早,比率也更高。因此,客户应使用ELF资料来确定保修风险和成本。
Transphorm的ELF:
· FIT:0.45
· ppm:4
现场故障率
现场故障率衡量的是客户系统在生产中发生的与所售组件总数相关的元件数量。根据Transphorm已售出的逾25万个FET及其13亿小时以上的累计工作时间,得出的现场故障率如下:
· FIT:3.1
· ppm:27.4(保守估计)
Transphorm的现场失效率与SiC齐平,据报导其数值低於5 FIT。此外,无论何种应用,Transphorm的ppm率随着时间的演变而持续下降,这表明其可靠性优於目前报告的水準。
请阅读高压GaN开关可靠性,以瞭解Transphorm的ELF和现场故障测试的详细资讯。
本质寿命
本质寿命本质上是设备的理论寿命,它假设材料老化是影响组件寿命的唯一因素。其资料使用“失效物理学”方法获得,透过提高电压和温度以测量故障时间,并建构用於预测最终寿命的相关模型。
Transphorm的GaN本质老化数据:
· 平均无故障时间[MTBF]1:1e11小时 [1100+万年]
· 寿命2 [100 ppm]:1亿小时 [11,415年]
关於Transphorm
Transphorm致力於设计、製造和销售用於高压电源转换应用的最高性能、最高可靠性的GaN半导体。公司持有最大数量的智慧财产权组合之一(在全球已获准和等待核准的专利达1,000多项),生产业界唯一经过JEDEC和AEC-Q101认证的GaN FET。网站:www.transphormusa.com 中国网站:www.transphormchina.com
1 MTBF是指63.2%的元件失效的时间
2 寿命是指元件的使用达到100 ppm/年的老化阶段
原文版本可在businesswire.com上查阅:https://www.businesswire.com/news/home/20190131005187/en/
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