Transphorm第叁代氮化鎵平臺获得汽车认证

经AEC-Q101认证的氮化鎵(GaN)场效应电晶体(FET)第二产品系列的工作温度现已达到175°C

加州戈利塔--(美国商业资讯)--首批通过JEDEC和AEC-Q101认证且具有最高可靠性的650V氮化鎵(GaN)半导体设计和製造领域的领导者Transphorm Inc.今日宣布，其第叁代通过JEDEC认证的高电压GaN平臺已通过汽车电子协会(Automotive Electronics Council)汽车级离散半导体AEC-Q101标準的压力测试。这项成果象徵着该公司实现了第二个获得汽车认证的产品系列。并且，值得注意的是，第叁代GaN平臺在认证测试期间表现出了最高可靠性，能够在175°C的温度下运作。

Transphorm第叁代AEC-Q101 GaN FET TP65H035WSQA具备35 mΩ的典型导通电阻，并採用产业标準的TO-247封装。与其上一代产品——50 mΩ第二代TPH3205WSBQA一样，该设备主要用於插电式混合动力汽车(PHEV)与纯电动汽车(BEV)的AC-DC车载充电器(OBC)、DC-DC转换器及DC-AC逆变器系统。

无与伦比的可靠性閾值

Transphorm第叁代设备於2018年6月推出，作为当时最高可靠性、最高品质[Q+R]的GaN FET进入市场。它们不仅具备更低的电磁干扰，而且抗杂讯性[閾值电压为4 V]和闸极稳定性[±20 V]得到了提高。这些先进的技术成果利用最少量的外部电路，成功降低切换杂讯并提高了产品在较高电流下的性能。

品质和可靠性(Q+R)方面的改进使Transphorm有能力选择JEDEC和AEC-Q101等扩展和加速标準测试。在本次最新通过的汽车认证中，该半导体製造商着重将该设备的耐热极限较通过AEC-Q101认证的标準高电压硅MOSFET提高25°C。

除证明了该GaN平臺的可靠性外，更高的温度测试证明了Transphorm的AEC-Q101 GaN FET能够在开发任何电动系统的过程中为设计工程师提供充足的热餘量。

Transphorm全球技术行销副总裁Philip Zuk表示：“证明设备的品质和可靠性应该是影响客户对高电压GaN FET的信心的最关键因素，在汽车和电动汽车市场尤其是如此。为了实现这一目标，我们确保公司的GaN能够在远超过任务剖面要求的实际条件下保持其性能和可靠性。根据所发布的可靠性资料显示，经JEDEC认证的第叁代平臺的现场失效率FIT为3个，与碳化硅的失效率相同。这一高可靠性水準使得Transphorm公司能够成功推出工作温度可达175°C的第叁代汽车FET。”

如同2019年1月发布的业界首个现场可靠性资料和首批早期寿命失效率计算结果（上文引用的FIT率的来源）所证明的一样，该公司第二个经AEC-Q101认证的设备进一步证实了Transphorm的品质和可靠性。

关於Transphorm

Transphorm致力於让功率电子设备突破硅极限。公司设计、製造并销售用於高压电源转换应用的具备最高效能、最高可靠性的 GaN 半导体。Transphorm 拥有全球最多的 Power GaN IP（全球超过1000 多个已发布和审核中专利），生产业界唯一获得 JEDEC 和 AEC-Q101 认证的 GaN FET。这来自於在每个阶段进行创新的垂直整合商业方式：材料和元件设计、製造、线路整合、封装、参考电路设计和应用支援。网站：transphormusa.com Twitter：@transphormusa

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