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Power Integrations 公佈整合有 900 V MOSFET 的全系列切换开关 IC

日期:2019年5月14日 下午12:02

该产品面向 480 VAC 工业应用和主电源电压不稳定区域的家电电源供应器

美国加州圣荷西--(美国商业资讯)--Power Integrations (Nasdaq: POWI) 是节能型电源转换领域的高压积体电路领导厂商,公司今日宣佈推出整合了 900 V 一次侧 MOSFET 的离线式切换开关 IC 系列。最新推出的装置包括适用於高效率、隔离返驰式电源供应器和简易非隔离降压式转换器的 IC。应用包括高达 480 VAC 的叁相工业电源供应器和高品质消费性产品,这些要在主电源电网不稳定的区域、频繁发生雷击的热带区域或高能量振盪波和突波非常普遍的任何区域使用。

本新闻稿包含多媒体资讯。完整新闻稿请见此: https://www.businesswire.com/news/home/20190513005929/zh-HK/

新产品包括适用於简易非隔离降压式转换器的 LinkSwitch™-TN2 IC 900 V 版本和旗舰 InnoSwitch™3-EP IC 系列的叁个新成员,这些支援高达 35 W 的极高效率隔离返驰式。900 V 产品系列的所有成员均配备最佳化的內部控制引擎,在整个负载范围內都具有高效率,使设计轻鬆符合能源相关产品 (ErP) 限制和各种线电压和负载保护机制,以进一步提高系统稳定性和可靠性。

900 V LinkSwitch-TN2 IC 为降压式转换器提供所需元件最少的切换开关解决方案。装置具备可选限电流和完全整合式自动重新啟动功能,可提供短路和开迴路保护。使用频率抖动功能可将电磁干扰 (EMI) 降至最低,并且装置可轻鬆满足 PCB 和封装上的汲极与所有其他接脚之间的高压安规距离和间隔要求。

900 V InnoSwitch3-EP 返驰式切换开关 IC 提供无功损线电压 OVP 感应,当线电压超过所选的临界值时自动中断切换,可在发生严重线电压过压的情况下,防止对电源供应器造成损坏。在线电压和负载条件內,装置能够提供高达 90% 的行业领先的效率,可减少电源供应器损失,实现拥有最高 35 W 功率但无需散热器的小尺寸电源供应器。900 V InnoSwitch3-EP IC 採用 Power Integrations 创新的隔离式数位通讯技术 FluxLink™,加上同步整流 (SR)、QR 切换和精确的二次侧回授感测及控制电路。如此可在不需要不可靠光耦合器的情况下打造出高效率、精準、可靠的电源供应器电路。

资深产品行销经理 Silvestro Fimiani 表示:“这些切换式功率 IC 让叁相电表、马达、工业备用电源供应器、家电,甚至手机充电器的设计人员能够实现真正的『一体式』电源供应器,从而满足任何地方的使用者的可靠性预期。例如,为解决印度高品质消费性产品迅速发展的市场而产生的 OEM 面临着源源不断的电子损坏和退货产品,必须予以维修或更换。我们的 900 V 切换开关 IC 提供有效且低成本的防护,并且运作和产品支援成本大幅减少。”

900 V InnoSwitch3-EP IC 样品现已上市,单价为 1.18 美元,每次最低订购数量为 10,000 件。900 V LinkSwitch-TN2 IC 样品也已上市,单价为 0.60 美元,每次最低订购数量为 10,000 件。Power Integrations 网站上提供 900 V IC 系列的技术支援,网址为:https://ac-dc.power.com/zh-hant/applications/unstable-mains-voltage/

关於 Power Integrations

Power Integrations, Inc. 是高压功率转换专用半导体技术的领导创新厂商。该公司的产品在绿色能源生态系统中起着关键作用,不仅能够利用可再生能源发电,还能在从毫瓦到兆瓦等各种应用中实现高效的功率传输及消耗。如需详细资讯,请参考 www.power.com

Power Integrations、InnoSwitch、LinkSwitch、FluxLink 和 Power Integrations 标誌为 Power Integrations, Inc. 的商标或註册商标。所有其他商标为其个别所有者之财产。

请前往 businesswire.com 瀏览源版本: https://www.businesswire.com/news/home/20190513005929/zh-HK/

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新闻通讯社联络人
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nick.foot@bwwcomms.com

Power Integrations Unveils Complete Range of Switcher ICs with Integrated 900 V MOSFETs (Graphic: Business Wire)

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