Power Integrations 发佈基於氮化鎵的 InnoSwitch3 AC-DC 转换器 IC

进阶氮化鎵 (GaN) 技术可显着提高功率和效率

美国加州圣荷西--(美国商业资讯)--Power Integrations (Nasdaq：POWI) 这家节能型电源转换领域的高压积体电路领导厂商，今日宣佈推出其 InnoSwitch™3 系列离线 CV/CC 返驰式切换开关 IC 的新成员。新型 IC 在整个满载范围內的效率高达 94％，在密封式转换器实作中效率高达 100 W，且无需散热器。使用內部开发的高压 GaN 切换开关技术实现了这种突破性的效能提升。

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準谐振 InnoSwitch3-CP、InnoSwitch3-EP 和 InnoSwitch3-Pro IC 将一次侧、二次侧和回授电路整合在单一表面接合封装中。在最新发佈的系列成员中，GaN 切换开关取代了 IC 一次侧的传统硅高压电晶体，减少了电流流过时的导通损耗，并大大降低了运作期间的切换损失。这样可以大大减少能源浪费，从而提高节省空间的 InSOP-24D 封装的效率和功率输送。

新型 IC 面向行动装置、机上盒、显示器、家电、网路和游戏产品的 USB-PD 和高电流充电器/转换器等高效率返驰式设计，提供不受外部元件影响的精準 CV/CC/CP，并可轻鬆连接到快速充电的通讯协定 IC。InnoSwitch3-CP 和 ‑EP 变异体是可设定硬体的产品，而 InnoSwitch3-Pro 则整合了复杂的数位介面，用於 CV 和 CC 设定点的软体控制、例外情况处理和安全模式选项。

Power Integrations 的总裁暨执行长 Balu Balakrishnan 表示：“GaN 是一项关键技术，与硅相比具有显着的效率和尺寸优势。我们预计在许多电源应用中，硅电晶体将快速转换为 GaN。自从我们在 18 个月前推出硅变异体以来，InnoSwitch3 一直是离线式切换开关 IC 市场的技术领导者，基於 GaN 的新型 IC 透过提高我们返驰式产品的效率和功率能力，进一步扩大了我们的领先优势”。

Power Integrations 的新型 InnoSwitch3 IC 现已上市，单价为每件 4 美元，每次订购数量为 10,000 件。Power Integrations 网站提供了五种新的参考设计，说明了 60 W 至 100 W 的 USB-PD 充电器，以及自动化设计工具 PI Expert™ 和其他技术支援文件。

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Power Integrations, Inc. 是高压功率转换专用半导体技术的领导创新厂商。该公司的产品在绿色能源生态系统中起着关键作用，不仅能够利用可再生能源发电，还能在从毫瓦到兆瓦等各种应用中实现高效的功率传输及消耗。如需详细资讯，请参考 www.power.com。

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