Transphorm为数千瓦级应用交付了逾50万GaN功率元件

该公司的产品採用率不断增加，其GaN平臺的实地可靠性也有提升

加州戈拉塔--(美国商业资讯)--首家获得JEDEC和AEC-Q101认证、具有最高可靠性的650 V氮化鎵(GaN)半导体的设计和製造领导者Transphorm Inc.透露，该公司已交付了逾50万高压GaN FET。这一里程碑的实现归因於客户对其高品质、高可靠性GaN平臺的不断採用。

高压GaN的应用

许多工业、基础建设、IT和PC游戏市场的客户已经公开宣布了使用Transphorm的GaN技术製造的量产设备。这说明了人们对於GaN解决方案的信心日益增强，预计它将成为一个有吸引力的市场。

事实上，现已属於Informa Tech旗下的产业分析公司IHS Markit Technology预测，GaN电源分立元件、模组和系统IC的总收入到2028年将达到12亿美元，其中约7.5亿美元（占整个市场的近叁分之二））来自於高压GaN解决方案¹。

Transphorm共同创办人兼营运长Primit Parikh表示：“在业界普遍使用单晶片常关型硅MOSFET的时候，我们就推出了最强大的双晶片常关型元件。正如我们眾所周知的发展态势以及消费类配接器领域中其他知名製造商（如Power Integrations）所证明的那样，双晶片常关型GaN解决方案是当今最实用的高压GaN FET设计。事实上，正是这种设计才使Transphorm的GaN实现了高性能和高可靠性，获得了迄今为止超过50亿小时(<2 FIT)的现场可靠性资料。”

Transphorm产品的成功很大程度上还是归因於其产品的品质和可靠性(Q+R)。这种Q+R以该公司强大的常关型GaN平臺、对磊晶製程的强大控制以及製造能力为后盾——可以充分满足从消费型配接器到汽车等各种跨产业市场的数量和品质要求。这些因素的综合使该公司能够生产具备空前可靠性、可设计性、可驱动性和可再现性的GaN FET。

Transphorm全球技术行销兼北美销售副总裁Philip Zuk表示：“在GaN的目标核心高功率市场中取得成功之后，我们还正与快速成长的半导体落后市场（如消费类配接器和机上盒）的客户合作，因为到目前为止，我们已经交付的大多数产品都针对的是更高功率的应用。超过50万的650V FET相当於400多万低功率（低於100瓦）FET，这证明了我们的量产能力。”

实地可靠性

一年前，Transphorm发布了第一套完整的高压GaN功率半导体验证资料。今天，该公司正式发布了其最新的实地可靠性资料。Transphorm的GaN技术拥有逾50亿小时的实际使用时间，目前其FIT率小於2.0，PPM每年低於19.8。有关元件品质+可靠性的更多资讯，请造访公司的Q+R网页。

欢迎加入GaN革命！

Transphorm设计和製造用於高压电源转换应用的具备最高效能和最高可靠性的650 V和900 V氮化鎵(GaN)半导体。Transphorm拥有全球最多的IP组合（1000多项已授权和申请中的专利），生产业界唯一获得JEDEC和AEC-Q101认证的GaN FET。这来自於在每个开发阶段进行创新的垂直整合业务方式：设计、製造、元件和应用支援。网站：https://www.transphormchina.com/en/ Twitter: @transphormusa

¹ SiC & GaN功率半导体报告，IHS Markit，2019年5月

原文版本可在businesswire.com上查阅：https://www.businesswire.com/news/home/20191107005291/en/

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