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东芝用於电压谐振电路的新型分立IGBT有助於降低功耗并简化设备设计

日期:2019年12月24日 下午2:51

东京--(美国商业资讯)--东芝电子元件及储存装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,简称“东芝”)已推出一款1350V分立式绝缘闸双极型电晶体(IGBT) GT20N135SRA,适用於檯面式电磁感应加热(IH)调理炉、IH电子锅、微波炉及其他家用电器的电压谐振电路。即日起出货。

此新闻稿包含多媒体內容。完整新闻稿可在以下网址查阅:https://www.businesswire.com/news/home/20191222005005/en/

GT20N135SRA的集电极-发射极饱和电压[1]为1.75V,二极体正向电压[2]为1.8V,分别比当前产品[3]低约10%和21%。IGBT和二极体在高温(TC=100℃)下均具有改良型传导损耗特性,新型IGBT可帮助降低设备功耗。它还具有0.48℃/W(最大值)的结到外壳热阻,比当前产品[3]低约26%,从而简化热设计。

新型IGBT可抑制设备开啟时流过谐振电容器的短路电流。其电路电流[4]峰值为129A,比当前产品[3]降低约31%。随着安全操作范围的扩大,与当前产品[3]相比,它让设备设计变得更加轻鬆。

应用场合

使用电压谐振电路的家用电器(例如檯面式IH调理炉、IH电子锅和微波炉)

特性

  • 低传导损耗:
    V CE(饱和)= 1.6V(典型值)(IC = 20A、VGE = 15V、Ta = 25℃时)
    VF = 1.75V(典型值)(IF = 20A、VGE = 0V、Ta = 25℃时)
  • 低结到外壳热阻:Rth(结到外壳)= 0.48℃/W(最大值)
  • 抑制设备开啟时流过谐振电容器的短路电流。
  • 广泛的安全操作范围

主要规格

(除非另有说明,Ta=25 °C时)

产品名称

封装

绝对最大额定值

集电极-发射极饱和电压

VCE(饱和)

典型值

IC=20A、

VGE=15V时

(V)

二极体正向电压

VF

典型值

IF=20A、

VGE=0V时

(V)

切换时间

(衰减时间)

tf

典型值

电阻负载时

(μs)

结到外壳热阻

Rth(结到外壳)

最大值

(℃/W)

集电极-发射极电压

VCES

(V)

集电极电流

(直流)

IC

@TC=25℃

(A)

集电极电流

(直流)

IC

@TC=100℃

(A)

结温度

Tj

(℃)

GT20N135SRA

TO-247

1350

40

20

175

1.60

1.75

0.25

0.48

注释:
[1] 截至2019年6月,东芝测得值。(测试条件:IC = 20A,VGE = 15V,TC = 100℃)
[2] 截至2019年6月,东芝测得值。(测试条件:IF = 20A,VGE = 0V,TC = 100℃)
[3] 东芝的当前产品GT40RR21
[4] 截至2019年6月,东芝测得值。(测试条件:VCC = 300V,VGG = 15V,C =0.33μF,t =5μs,Ta = 25℃)

有关新产品的更多资讯,请关注以下连结。
GT20N135SRA
https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=GT20N135SRA

有关东芝IGBT产品系列的更多资讯,请关注以下连结。
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关於东芝电子元件及储存装置株式会社
东芝电子元件及储存装置株式会社集新公司的活力与集团的经验智慧於一身。自2017年7月成为一家独立公司以来,我们已躋身领先的通用设备公司之列,并为客户和商业合作伙伴提供卓越的离散半导体、系统LSI和HDD解决方案。

公司遍布全球的1.9万名员工同心同德,竭力实现公司产品价值的最大化,同时重视与客户的密切合作,促进价值和新市场的共同创造。我们期待在目前超过7000亿日圆(60亿美元)的年度销售额基础上再接再厉,为全球人类创造更加美好的未来。
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原文版本可在businesswire.com上查阅:https://www.businesswire.com/news/home/20191222005005/en/

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东芝:1350V分立式IGBT GT20N135SRA,适用於檯面式IH调理炉及其他家用电器的电压谐振电路。(照片:美国商业资讯)

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