6月20日，國家存儲器基地項目二期在武漢東湖高新區未來科技城國家存儲器基地建設工地開工建設。據紫光集團兼長江存儲公司董事長趙偉國介紹，國家存儲器基地項目於2016年12月30日開工，計劃分兩期建設3D NAND閃存芯片工廠，總投資240億美元。其中一期主要實現技術突破，併建成10萬片/月產能，二期規劃產能20萬片/月，兩期項目達產後月產能共計30萬片。
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