4月1日，赛微电子(300456-CN)公告，公司与青州市人民政府签署《合作协议》，共同推进6-8英寸GaN芯片晶圆制造项目的建设，进一步完善GaN业务的全产业链IDM（垂直整合制造）布局。公司拟在青州经济开发区发起投资10亿元分期建设聚能国际6-8英寸硅基氮化镓功率器件半导体制造项目，总占地面积30亩。一期建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆5000片/月的生产能力，二期建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆12000片/月的生产能力。
财华网所刊载内容之知识产权为财华网及相关权利人专属所有或持有。未经许可，禁止进行转载、摘编、复制及建立镜像等任何使用。
如有意愿转载，请发邮件至content@finet.com.hk，获得书面确认及授权后，方可转载。
更多精彩内容，请登陆
财华香港网(https://www.finet.hk/)
财华智库网(https://www.finet.com.cn)
现代电视(http://www.fintv.hk)
财华财经APP下载 
或
按钮分享