赛晶科技：顶级技术团队加持 国产IGBT正在直线超车

当下，我国汽车年产量2500万辆，新能源车年产量已经突破330万辆。中央制定2030年前二氧化碳排放达到峰值，努力争取2060年前实现碳中和目标，世界各国都在大力发展新能源产业，一场能源革命已经展开。据乘联会最新销量数据统计，5月份国内狭义乘用车市场销量达135.4万辆，同比下降16.9%；1-5月份累计销量731.5万辆，同比下降12.8%。其中新能源狭义乘用车销量28.2万辆，同比增长78.5%；累计销量135.2万辆，同比增长128.4%。

能源革命与IGBT

业内人士指出，新能源电力与新能源汽车是能源革命的两个主力军，而这两者的发展离不开半导体，尤其是功率半导体中的IGBT。IGBT的核心作用是将直流电压逆变成可调的交流电，是电能转换与应用的核心芯片，被广泛应用在电网、高铁、汽车等领域。

根据全球知名的研究机构TrendForce集邦咨询的数据显示，预计今年全球IGBT的市场规模将达到67.2亿美元，其中中国为39.6亿美元，占比达到59%。是全球IGBT最大的市场。

另一方面，虽然中国是IGBT最大的需求市场，但并不是IGBT的供给市场，换句话来说，中国的在IGBT领域既不算大也不算强。从行业集中度来看，中国市场中IGBT供给前三的企业分别是德国的英飞凌、日本的三菱和美国的安森美，三家企业合计占到了中国IGBT一半的市场份额。

难以弯道超车的IGBT

纵观IGBT甚至整个功率半导体行业，几乎都被美国（TI、ADI）、欧洲（Infineon、ST、NX）以及日本（FUJI）等所垄断，其中一个很重要的原因在于与数字芯片相比，功率半导体对于技术经验的积累要求更高，是一个几乎无法弯道超车的产业。

以IGBT为例，从设计端，芯片参数优化对工程师的知识储备和经验积累要求极高，到了制造端，生产流程长、设备多、工艺要求高，工程师还需要针对不同客户的需求对封装进行细微调整。这些经验都是千百次试错而来的，背后不仅仅是资金成本，更重要的是时间成本。除了这些显性的技术壁垒之外，还有看不见的品牌壁垒，英飞凌等巨头在行业深耕多年，其产生的品牌效应是国产IGBT短期内难以追赶的。所以，对于国产IGBT企业想要获得客户的认可，打入新能源发电、汽车供应链中就变得尤为困难。

分析人士认为，从经验来看，国产半导体唯一的出路就是自主创新，没有第二条路可以选择，IGBT固然壁垒高，但依然需要国产半导体企业去攻克，而赛晶科技（00580.HK）就是这样一家企业。

客户与资本市场双认可

赛晶科技成立于2002年，起初是依托分销业务起步的，赚得第一桶金之后开始投身自主技术的研发，短短几年时间，赛晶就研发了中国首个拥有自主技术的特高压直流输电用阳极饱和电抗器。此后赛晶科技一路飞速发展，不仅创造了众多自主技术研发成果，还在40余个特高压直流输电、柔性直流输电工程，以及风电、光伏、电动汽车、工业电控等领域，取得出色成绩，成为多个领域的国内独家或主要供应商。

目前，赛晶科技在工业电控与新能源发电领域是国产IGBT、层叠母排等多种功率半导体的行业领先者。同时也是中国柔性直流输电最主要的器件供应商，在特高压直流输电领域累计供应量阳极饱和电抗器近2万台，电力电容器近4千万千乏。赛晶科技不仅在技术上获得了客户认可，其在市场表现方面也获得了资本市场的认可，2021年11月，赛晶科技被正式纳入“MSCI中国小型股指数”，这充分体现了国际资本市场对于赛晶科技经营成绩和发展前景的认可。

顶级技术团队

IGBT领域技术难度大，想获得客户认可难度更大。作为一个国产半导体企业，赛晶科技能够发展如此迅速并且获得新能源汽车和新能源发电领域的订单，与其雄厚的技术实力密不可分，确切来说，与其技术团队密不可分。

赛晶科技的董事长和创始人项颉，不仅在ABB半导体的瑞士总部工作了3年，并在此后与ABB半导体深入合作了20年，从而积累了丰富的技术经验与行业人脉。ABB是全球电力和自动化技术领域的领导者，与英飞凌、三菱等公司同为功率半导体行业的国际领军企业，并且在3300V及以上电压等级，特别是在直流输电领域具有显著的技术和市场优势。

除了董事长之外，赛晶科技的IGBT专家团队，几乎都来自ABB半导体公司，并且是设计、工艺、测试、应用等各个部门的核心专家，真正做到了国际顶级技术实力和经验。赛晶科技的技术团队在国内的IGBT领域堪称豪华，这也是赛晶科技能够快速崛起的重要原因。

国内稀缺的精品IGBT芯片

高速发展之下，赛晶科技也开启了国产IGBT扩张之路，2019年成立了瑞士SwissSEM、赛晶亚太半导体公司，并启动IGBT研发生产项目，其主要研发650V~1700V中压IGBT，面向新能源汽车、新能源发电、工业变频等领域。经过日以继夜的攻坚克难，于2021年11月正式开始交付自主研发的i20 IGBT芯片。而采用i20芯片组的ED-Type模块、ST-Type模块，在分别与业内同类产品对比中，均取得了明显的优势，这与技术团队的丰富经验和创新密不可分。

资料显示，i20 IGBT芯片采用了先进的3D结构和P设计，超薄N-基层设计和缓冲层和阳极激光退火工艺，带来了高达250A电流和175℃最大工作结温的卓越性能，测试性能优于目前国际主流供应商第4代同类芯片水平，接近其第7代芯片技术的性能。目前赛晶的i20 IGBT芯片以出色的表现，通过了电动汽车领域中国最强车企客户的测试验证，并已经开始大批量交付裸芯片和采用自主芯片的模块产品给客户使用。此外，公司碳化硅产品布局也正在启动中，预计明年推出第一代碳化硅模块。

展望未来 赛晶助力国产替代

新能源是大势所趋，IGBT国产化也必须势在必行。长期以来，我国在IGBT领域面临卡脖子问题，如今透过赛晶科技可以看到国产IGBT正在飞速发展，国产替代的曙光也在一步步变得更加明亮。从赛晶科技的发展策略可以看出，虽然荣誉加身，但其依然再不断前进。按照其策略，赛晶科技在IGBT芯片领域，占领更多的电动汽车及充电桩领域市场份额，在新能源发电领域积极扩展自身的优势。

当然赛晶科技也有雄心壮志去完成国产化的使命，根据其董事长项颉公开发言称：“从目前的研发与生产进度看来，三年内，赛晶研发的芯片和模块技术将可以覆盖大部分IGBT模块市场。”

来源：发布易