7月27日，据《科创板日报》讯，美光7月26日宣布推出业界首款8层24GB HBM3 Gen2內存芯片，是HBM3的下一代产品，采用1β工艺节点。美光是业界第一个制造出第二代HBM3內存的厂商。这款內存芯片总带宽超过1.2TB/s，引脚速度超过9.2Gb/s，比HBM3提高50%。此外，HBM3 Gen2的每瓦性能是HBM3的2.5倍左右，能效大幅提升。美光表示，24GB HBM3 Gen2內存已经出样给客户。
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