东芝用於电压谐振电路的新型分立IGBT有助於降低功耗并简化设备设计

日期：2019年12月24日 下午2:51

东京--(美国商业资讯)--东芝电子元件及储存装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，简称“东芝”）已推出一款1350V分立式绝缘闸双极型电晶体(IGBT) GT20N135SRA，适用於台面式电磁感应加热(IH)调理炉、IH电子锅、微波炉及其他家用电器的电压谐振电路。即日起出货。

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GT20N135SRA的集电极-发射极饱和电压^[1]为1.75V，二极体正向电压^[2]为1.8V，分别比当前产品^[3]低约10%和21%。IGBT和二极体在高温(TC=100℃)下均具有改良型传导损耗特性，新型IGBT可帮助降低设备功耗。它还具有0.48℃/W（最大值）的结到外壳热阻，比当前产品^[3]低约26%，从而简化热设计。

新型IGBT可抑制设备开启时流过谐振电容器的短路电流。其电路电流^[4]峰值为129A，比当前产品^[3]降低约31%。随着安全操作范围的扩大，与当前产品^[3]相比，它让设备设计变得更加轻松。

应用场合

使用电压谐振电路的家用电器（例如台面式IH调理炉、IH电子锅和微波炉）

特性

• 低传导损耗：
  V CE（饱和）= 1.6V（典型值）（IC = 20A、VGE = 15V、Ta = 25℃时）
  VF = 1.75V（典型值）（IF = 20A、VGE = 0V、Ta = 25℃时）
• 低结到外壳热阻：Rth（结到外壳）= 0.48℃/W（最大值）
• 抑制设备开启时流过谐振电容器的短路电流。
• 广泛的安全操作范围

主要规格

（除非另有说明，Ta=25 °C时）
产品名称	封装	绝对最大额定值				集电极-发射极饱和电压 VCE（饱和） 典型值 IC＝20A、 VGE=15V时 (V)	二极体正向电压 VF 典型值 IF=20A、 VGE=0V时 (V)	切换时间 （衰减时间） tf 典型值 电阻负载时 (μs)	结到外壳热阻 Rth（结到外壳） 最大值 (℃/W)
		集电极-发射极电压 VCES (V)	集电极电流 （直流） IC @TC=25℃ (A)	集电极电流 （直流） IC @TC=100℃ (A)	结温度 Tj (℃)
GT20N135SRA	TO-247	1350	40	20	175	1.60	1.75	0.25	0.48

注释：
[1] 截至2019年6月，东芝测得值。（测试条件：IC = 20A，VGE = 15V，TC = 100℃）
[2] 截至2019年6月，东芝测得值。（测试条件：IF = 20A，VGE = 0V，TC = 100℃）
[3] 东芝的当前产品GT40RR21
[4] 截至2019年6月，东芝测得值。（测试条件：VCC = 300V，VGG = 15V，C =0.33μF，t =5μs，Ta = 25℃）

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东芝：1350V分立式IGBT GT20N135SRA，适用於台面式IH调理炉及其他家用电器的电压谐振电路。（照片：美国商业资讯）