铠侠株式会社推出第五代BiCS FLASH™

新一代3D快闪记忆体增加层数，提高容量，扩充频宽

东京--(美国商业资讯)--记忆体解决方案领域的全球领导者铠侠株式会社(Kioxia Corporation)今日宣布，该公司已成功开发具有112层垂直堆叠结构的第五代BiCS FLASH™叁维(3D)快闪记忆体。铠侠计画开始在2020日历年第一季为特定应用出货新设备的样品，该设备采用512 Gb（64 GB）容量及每单元3位元（叁级单元，TLC）技术^*1。这款新设备旨在满足对各种应用不断成长的位元需求，包括传统行动装置、消费类和企业固态硬碟(SSD)、新的5G网路支援的新兴应用、人工智慧和自动驾驶车辆。

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展望未来，铠侠将其新的第五代制程技术应用於更大容量的设备，例如1 TB（128 GB）TLC和1.33 TB每单元4位元（四级单元，QLC）设备。

铠侠创新的112层堆叠制程技术与先进的电路和制程技术相结合，与96层堆叠制程相比，将电池阵列密度提高约20%。新技术不仅降低每位元成本，而且提高每个硅晶圆的储存容量的可制造性。此外，它将介面速度提高50%，并提供更高的程式设计效能和更短的读取延迟。

自2007年宣布推出全球首个^*2原型3D快闪记忆体技术以来，铠侠一直在推进3D快闪记忆体的开发，并积极推广BiCS FLASH™，以满足对更小晶片尺寸和更大容量的需求。

第五代BiCS FLASH™是与技术和制造合作伙伴Western Digital 公司共同开发的。它将在铠侠的四日工厂和新建的北上工厂生产。

注：
1. 并非所有功能都已经过测试，且设备特性将来可能变更。
2. 来源：铠侠株式会社，截至2007年6月12日。
* 本文提及的所有其他公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。

关於铠侠

铠侠是全球记忆体解决方案领导者，致力於开发、生产和销售快闪记忆体及固态硬碟(SSD)。东芝公司於1987年发明了NAND快闪记忆体，2017年4月，铠侠前身东芝记忆体集团从东芝公司剥离。铠侠致力於以记忆体来提升世界，提供的产品、服务和系统可为客户创造选择，同时为社会创造记忆体的价值。铠侠创新的3D快闪记忆体技术BiCS FLASH™，正在塑造诸多高密度应用的未来储存方式，其中包括高阶智慧手机、PC、SSD、汽车和资料中心等。

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