纳芯微：除SiC二极管产品外积极研发和验证1200V SiC MOSFET产品

7月18日，纳芯微(688052.SH)在互动平台表示，公司的SiC二极管采用MPS结构设计，与传统的结构相比，具有显着优势。公司的SiC二极管具有更低的正向导通电压，同时在面对瞬态高电流冲击时，具备更强的抗浪涌能力。这种性能优势使得公司的SiC二极管在高功率应用中表现出色，为系统的可靠性和稳定性提供了重要保障。汽车是公司的重点目标市场，公司将继续深耕、提高在汽车电子应用和产品层面的覆盖度，包括压力传感器、磁传感器、通用信号链芯片、专用处理器芯片、数字隔离器和隔离采样芯片、车载接口芯片、栅级驱动芯片、马达驱动芯片、车灯驱动芯片、车载电源芯片、功率器件等丰富的产品类别。除SiC二极管产品外，公司也在积极研发和验证1200V SiC MOSFET产品。公司的SiC MOSFET产品将经过全面的车规级验证，以确保符合汽车级应用的要求。